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勇?lián)姑蛑鴺O精細(xì)世界邁進(jìn)
設(shè)備生產(chǎn)有條不紊、機(jī)臺(tái)調(diào)試精益求精、技術(shù)迭代有序展開……當(dāng)下，電科裝備爍科中科信正同步生產(chǎn)調(diào)試13臺(tái)離子注入機(jī)，設(shè)備制造與工藝調(diào)試雙管齊下，生產(chǎn)一線熱火朝天。
離子注入機(jī)是芯片制造的關(guān)鍵裝備。目前，爍科中科信自主研制出中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等多類型離子注入機(jī)，實(shí)現(xiàn)了我國芯片制造領(lǐng)域全系列離子注入機(jī)創(chuàng)新發(fā)展。2023年開年，設(shè)備訂單總額突破2億元，行業(yè)認(rèn)可度持續(xù)攀升。
“離子注入機(jī)具有專業(yè)性強(qiáng)、涉及學(xué)科多、精密化程度高等特點(diǎn)，研制難度極高?！奔夹g(shù)人員回憶研發(fā)過程，依然動(dòng)容。
兩萬五千多個(gè)硬件7×24小時(shí)密切配合，軟件系統(tǒng)高速運(yùn)轉(zhuǎn)，要讓束流時(shí)刻保持在特定的高能量，精準(zhǔn)地注入到硅片的指定區(qū)域，不能有一絲卡頓……這只是高能離子注入機(jī)工程化的“基礎(chǔ)套餐”。
要實(shí)現(xiàn)這些極端嚴(yán)苛要求，需要一個(gè)關(guān)卡接一個(gè)關(guān)卡地闖。其中就有將高能量束流均一性指標(biāo)提高0.5%。
千萬別小看這0.5%的改變！它需要項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)不眠不休地與影響均一性的5項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)“死磕”，修改5000多次程序。每次從實(shí)驗(yàn)室出來，技術(shù)人員在無塵服的包裹下都汗流浹背，來不及擦拭，就又奔向辦公室，總結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
最終，項(xiàng)目組如愿實(shí)現(xiàn)技術(shù)指標(biāo)，又接連突破高能離子加速技術(shù)等核心技術(shù)難關(guān)，各項(xiàng)工藝指標(biāo)均達(dá)要求。目前，高能離子注入機(jī)已進(jìn)入產(chǎn)線工藝驗(yàn)證的最后階段。
技術(shù)突破是多方面的。高溫注入工藝的成功研發(fā)是另一個(gè)標(biāo)志性成果。
為推進(jìn)研發(fā)進(jìn)度，項(xiàng)目組扎根實(shí)驗(yàn)室，將原理創(chuàng)新與局部驗(yàn)證相結(jié)合，對整個(gè)溫控流程進(jìn)行數(shù)十次仿真驗(yàn)證，最終實(shí)現(xiàn)在高溫時(shí)，設(shè)備仍能對晶圓均勻吸附，且能夠保障高效穩(wěn)定傳輸?shù)哪繕?biāo)。同時(shí)，為了保障獲取更加精準(zhǔn)的工藝參數(shù)，測試人員在高溫設(shè)備旁對幾十道加熱工藝進(jìn)行上百次測試實(shí)驗(yàn)，為快速推算工藝參數(shù)提供了可靠的數(shù)據(jù)支撐。
功夫不負(fù)有心人，事關(guān)實(shí)驗(yàn)成功與否的一組關(guān)鍵參數(shù)從開始的偏離理想值，到逐漸無限接近，直至通過嚴(yán)密論證，達(dá)到高溫注入的工藝要求，實(shí)現(xiàn)控制精度和作業(yè)速度的雙贏。
目前，技術(shù)提升在系列產(chǎn)品中遍地開花，中束流設(shè)備模組交付形式已步入正軌，大束流設(shè)備已實(shí)現(xiàn)與國際先進(jìn)機(jī)臺(tái)對標(biāo)，大幅提升產(chǎn)品的市場核心競爭力。
“發(fā)展國產(chǎn)裝備，鑄就國芯基石?！表?xiàng)目組夢想不停步，繼續(xù)勇攀工藝制程新高度，提高設(shè)備生產(chǎn)效率，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
