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碳化硅單晶生長(zhǎng)爐
來(lái)源：
發(fā)布時(shí)間：2022年10月13日
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產(chǎn)品型號(hào)：TDS系列
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：已穩(wěn)定生長(zhǎng)出直徑≥150mm，厚度≥ 25mm碳化硅晶體
應(yīng)用領(lǐng)域：射頻器件、電力電子器件等領(lǐng)域
核心參數(shù)：工作溫度：1000℃～2500℃(光學(xué)測(cè)溫)
極限真空度：≤5×10-6mbar
系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S
極限真空下,12h保壓,壓升：≤4Pa
聯(lián)系人：王毅 聯(lián)系方式：13603568582
