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SiC高溫氧化爐
來源：
發(fā)布時間：2022年10月12日
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產(chǎn)品型號：M5014-3/UM
產(chǎn)品簡介：設(shè)備特點：1、雙層真空密封結(jié)構(gòu)，溫度和氣流均勻性佳；高潔凈熱場材料體系避免高溫金屬和顆粒沾污；2、可實現(xiàn)低壓、干氧、NO等多種氣氛處理工藝；3、具備在線金屬離子清洗功能。
應(yīng)用領(lǐng)域：用于SiC MOSFET或IGBT器件低缺陷界面和高 通道遷移率的柵氧生長工藝，也可用于其他高溫氧 化工藝。
核心參數(shù)：1、晶片尺寸：6"（兼容4"）;
2、最大載片量：50片/批；
3、工藝溫度：800°C~1500°C;
4、恒溫區(qū)長度：250mm;
5、控溫精度：≤±1°C;
6、溫度均勻性：≤±5°C;
7、工藝氣體：Ar、 N2、H2、O2、NO、N2O等;
8、工藝壓力：100mbar~1個大氣壓；
9、片內(nèi)/片間膜厚均勻性：±2.5%。
聯(lián)系人：李富石 聯(lián)系方式：15973176321
