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SiC外延設(shè)備
來源：
發(fā)布時(shí)間：2022年10月12日
瀏覽次數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào)：M8517-1/UM
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：設(shè)備特點(diǎn)：1、超快速高質(zhì)量外延生長(zhǎng)能力;2、優(yōu)良的生長(zhǎng)厚度和摻雜濃度均勻性控制水平;3、滿足向大尺寸、厚外延、低缺陷SiC外延材料發(fā)展需求
應(yīng)用領(lǐng)域：用于第三代半導(dǎo)體4H-SiC材料的同質(zhì)外延生長(zhǎng)
核心參數(shù)：1、晶片尺寸：4″、6″;
2、最高溫度：1700℃;
3、背景載流子濃度：＜1×10E14cm-3
4、最高生長(zhǎng)速率：＞90μm/h
5、控溫精度：±0.1℃;
6、厚度均勻性：0.3%~～1.5%;
7、摻雜濃度均勻性：1.5%～5%;
8、表面形貌缺陷密度：＜0.5個(gè)/cm2;
聯(lián)系人：李富石 聯(lián)系方式：15973176321
