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高溫高能離子注入機
來源：
發(fā)布時間：2022年10月11日
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產(chǎn)品型號：CI-S0400ASH06BF-01
產(chǎn)品簡介：CI-S0400ASH06BF-01主要面向SiC晶圓的熱注入工藝要求。該型號設(shè)備是我公司為滿足SiC熱注入迭代開發(fā)的第三代設(shè)備，相對前兩代設(shè)備，其離子源使用壽命、設(shè)備穩(wěn)定性等都有了極大的提升?？蓾M足SiC各型器件的注入工藝求
應用領(lǐng)域：可滿足SiC各型器件的注入工藝求
核心參數(shù)：晶片尺寸（Wafer Size）:6 inch，4 inch；
能量范圍（EnergyRange）：30-400keV(單電荷) 30-400keV(single charge) ；
注入元素（Ion Species）：Ai ,B,N,P；
晶片溫度（Process Wafer temperature）:RT-600℃
聯(lián)系人：胡東京 聯(lián)系方式：18611091830
