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立式氧化爐
來源：
發(fā)布時間：2022年10月12日
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產(chǎn)品型號：M51200-1/UM
產(chǎn)品簡介：高潔凈度；高精度；高安全性
應(yīng)用領(lǐng)域：用于集成電路生產(chǎn)過程中的柵氧生長、STI隔離等前段工藝制程前的初始氧化層（start oxide）、 屏蔽氧化層（screen oxide）、襯墊氧化層（pad oxide）、犧牲氧化層（sacrificial oxide）等多種 氧化介質(zhì)層的制備；適用工藝有氧化、退火、推阱、合金、PI固化。
核心參數(shù)：1、晶片尺寸：8”（兼容6 "）;
2、典型工藝溫度：
800°C~1150°C （氧化、推阱、退火）;
800°C~1250°C （高溫氧化）；
400°C~800°C （合金）；
3、恒溫區(qū)長度：≥860mm。
聯(lián)系人：李富石 聯(lián)系方式：15973176321
