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高能離子注入機
來源：
發(fā)布時間：2022年10月11日
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產(chǎn)品型號：CI E8000
產(chǎn)品簡介：設(shè)備主要用于邏輯和存儲器件、成像器件、功率器件的注入工藝，設(shè)備不僅具有穩(wěn)定性高、注入?yún)?shù)控制精度高、注入均勻性與重復(fù)性好的優(yōu)點，而且覆蓋范圍十分廣泛。主要特點“高性能長壽命離子源；束流能量高，能量范圍大，能量純度高，注入流強大，束流傳輸效率高，單電荷離子≥2MeV等“
應(yīng)用領(lǐng)域：LOGIC,DRAM,3D NAND,NOR,CMOS,MOSFET,IGBT,BCD,CIS,MEMS...
核心參數(shù)：離子能量（Energy）：20 keV-8 MeV
束流強度（ Beam Current）：B+：1MeV，≥1000μA；
劑量注入范圍（Dose Range）：1E11 - 5E15 ions/cm2；
均勻性與重復(fù)性（Uniformity and Repeatability）：
劑量：1E11 - 5E11 ions/cm2，1σ≤ 1%；
劑量：5E11 - 5E15 ions/cm2，1σ≤ 0.5%
聯(lián)系人：胡東京 聯(lián)系方式：18611091830
