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中能大束流離子注入機(jī)
來源：
發(fā)布時(shí)間：2022年10月11日
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產(chǎn)品型號(hào)：CI C200
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：中能大束流離子注入機(jī)兼具較高的能量和較大的流強(qiáng)，基于成熟的大束流離子注入機(jī)平臺(tái)，兼容B/P/As/In/H/He/O/等多種離子?？蓾M足功率器件，SOI材料制備等不同工藝需求。
應(yīng)用領(lǐng)域：Power Device，SOI(SMARTCUT,SIMOX)
核心參數(shù)：離子能量（Energy）：5-200 keV；
晶片尺寸（Wafer Size）:12 inch，8 inch；
注入元素：B,P,As,In,H,He,O；
劑量注入范圍（Dose Range）：1E14 - 3E17 ions/cm2；
注入劑量均勻性（Uniformity）：離子能量＞10keV:1σ＜1.0%
Energy，離子能量＜10keV:1σ＜1.5%Energy
聯(lián)系人：胡東京 聯(lián)系方式：18611091830
