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原子層沉積設(shè)備

來源:     作者:石小川     發(fā)布時間:2022年10月11日     瀏覽次數(shù):         

產(chǎn)品型號RSD-100型

產(chǎn)品簡介:本設(shè)備為單腔體原子層沉積系統(tǒng),專為實(shí)驗室工藝研發(fā)、材料開發(fā)等功能開發(fā)的一款多功能實(shí)驗性平臺,可針對性實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽能電池(PSCS)電子傳輸層薄膜(TIO2 、SNO2等)的制備。

應(yīng)用領(lǐng)域:新能源-光伏產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)

核心參數(shù):型號:橫流型原子層沉積設(shè)備              

                 成膜種類:Al2O3,TiO2,SiO2,SnO2,AIN,TiN等
                 載板規(guī)格:158mm~ 210mm,4~8片/批
                 工藝溫度:20-400℃(溫度不均勻性≤±2℃)
                 極限真空度:≤3PA
                 膜厚均勻性:2.5%(片內(nèi))、2.5%(片間)、2.5%(批間)
                 前驅(qū)體源:液態(tài),固態(tài),氣態(tài),臭氧源
                 源瓶容量:標(biāo)準(zhǔn)50mL揮發(fā)式容器/100mL載氣輔助式容器,其他規(guī)格可定制
                 循環(huán)時間:5s/cycle

聯(lián)系人:黃凌飛        聯(lián)系方式:18684881206