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吸雜爐
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發(fā)布時(shí)間：2022年10月11日
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介：擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前道工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。吸雜爐通過高溫把磷擴(kuò)散到硅表面，對(duì)硅體內(nèi)部金屬起到吸雜的作用。系統(tǒng)具備自動(dòng)監(jiān)測(cè)及自動(dòng)控制功能，亦可通過人工控制，完成整個(gè)的工藝處理。
應(yīng)用領(lǐng)域：新能源-光伏產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)
核心參數(shù)：工藝種類：磷擴(kuò)散
可選管數(shù)：5管/臺(tái)、6管/臺(tái)、10管/臺(tái)、12管/臺(tái)
典型裝片量：182半片硅片:≥4400片/舟(順氣流)，
210硅片:≥4400片/舟(順氣流);
182半片硅片:≥3200片/舟(常規(guī)方形).
210硅片:≥3200片/舟(常規(guī)方形);
溫度控制范圍：600℃-1100℃
工作壓力：50~1000MBAR(閉環(huán)控制)
恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度：≤+0.5℃/2600mm (800℃-1100°C)
≤±1℃/2600mm (600℃-799℃)
方阻均勻性：片內(nèi)≤5%、片間≤4%、批間≤4% (75~150Ω/sq)
片內(nèi)≤6%、片間≤5%、批間≤4% (150~180Ω/sq)
溫度速率：最大升溫速率為20℃/min,
最大降溫速率為8~9℃/min(快速冷卻功能)
聯(lián)系人：黃凌飛 聯(lián)系方式：18684881206
