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異質(zhì)結(jié)PECVD設(shè)備（含自動(dòng)化）
來源：
發(fā)布時(shí)間：2022年10月11日
瀏覽次數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào)：RSC-6000型
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：設(shè)備采用射頻等離子體增加化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM的非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進(jìn)行摻雜微晶硅層（P層）和摻雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子體清洗系統(tǒng)，可在腔內(nèi)實(shí)現(xiàn)腔體和板框的自動(dòng)清洗功能，維護(hù)保養(yǎng)方便；自動(dòng)上下料系統(tǒng)具備上料自動(dòng)外觀（破片、缺口、崩邊）檢測(cè)及下料PL檢測(cè)功能，整機(jī)良率及穩(wěn)定性好。
應(yīng)用領(lǐng)域：新能源-光伏產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)
核心參數(shù)：工藝種類：RCS-12000
成膜種類：本征非晶硅/摻雜非晶硅/(摻雜微晶硅)
載板規(guī)格：210半片，120片/批，(可兼容23x~15x尺寸硅片)
碎片率：≤0.08%(含自動(dòng)化)
工藝溫度：150~250℃(溫度不均勻性≤5℃)
膜厚均勻性：4%(片內(nèi))、8%(片間)、5%（批間)
反射功率：反射功率穩(wěn)定時(shí)間≤0.5s
載板清洗時(shí)間：<2h/天
不良率：≤0.5%（機(jī)械部分造成不良)
硅片傳輸形式：Work Beam(不可對(duì)硅片膜面造成損傷、污染)
產(chǎn)能：12000pcs/h
Uptime：≥90%(設(shè)備清洗恢復(fù)時(shí)間算作非開機(jī)時(shí)間)
放片精度：≤±0.5mm(硅片放入載板精度)
氣氛環(huán)境：局部采用氮?dú)饣騀FU微正壓形成微正壓
定位方式：視覺系統(tǒng)+機(jī)械對(duì)位（硅片與載板定位)
聯(lián)系人：黃凌飛 聯(lián)系方式：18684881206
