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平板式PEOPVD設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào):RST-8000型
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)和物理氣相沉積技術(shù)實(shí)現(xiàn)一次工藝過(guò)程中在高效背面隧穿鈍化接觸(TOPCon)太陽(yáng)電池硅片的背面沉積超薄隧穿氧化層和原位摻雜非晶硅薄膜的沉積。
應(yīng)用領(lǐng)域:新能源-光伏產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)
核心參數(shù):型號(hào):RST-8000
成膜種類:氧化硅(1~2nm)/原位摻雜非晶硅(>100nm)
鍍膜方式:下鍍膜
載板規(guī)格:182MM - 210MM,120片/批
膜厚均勻性:4%(片內(nèi))、4%(片間)、4%(批間)
表面形貌:外觀均勻、無(wú)明顯微粒、氣泡、色差等異常
鈍化效果:iVoc≥730mV(堿拋片+雙面SiOx/Poly)
摻雜濃度:>5E20
靶材利用率:>80%
產(chǎn)能:>8000片/時(shí)
聯(lián)系人:黃凌飛 聯(lián)系方式:18684881206