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PEOCVD非晶硅鍍膜設(shè)備

來(lái)源：     作者：石小川     發(fā)布時(shí)間：2022年10月11日     瀏覽次數(shù)：         

產(chǎn)品型號(hào)：M82300-8/UM型

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：PECVD即等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備，是利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子體對(duì)化學(xué)氣相沉積過(guò)程施加影響的技術(shù)。M82300-8/UM型PECVD非晶硅鍍膜設(shè)備可用于隧穿氧化層、本征Poly-Si、原位摻雜Poly-Si工藝薄膜一次原位完成。

應(yīng)用領(lǐng)域：新能源-光伏產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)

核心參數(shù)：成膜種類(lèi)：隧穿氧化層、本征poly-Si、原位摻雜poly-Si       

                    整機(jī)尺寸：9935mm(L)×2460mm(W)x4340mm(H)(不含真空泵)
                 石英管直徑：540MM(外徑）/528MM(內(nèi)徑)
                 典型裝片量：726片/舟(M6)，640片/舟(M10)，486片/舟(M12)，432片/舟(230)
                 典型產(chǎn)能：5100片/小時(shí)/臺(tái)(M10硅片，6管/臺(tái))；3880片/小時(shí)/臺(tái)(M12硅片，6管/臺(tái))
                 溫度控制范圍：400℃ - 550℃
                 成膜膜厚范圍及均勻性：隧穿氧化層，1-2nm，片內(nèi)≤±0.5nm，片間≤±0.5nm，批間≤±0.3nm
                                                     本征Poly-si，120nm, 片內(nèi)≤5%，片間≤5%，批間≤3%
                                                     原位摻雜Poly-Si，120nm, 片內(nèi)≤5%，片間≤5%，批間≤3%
                 恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度：≤±1℃/2600mm (450℃時(shí))
                 工作壓力：220±40Pa(VAT閥控壓)

聯(lián)系人：黃凌飛        聯(lián)系方式：18684881206