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光明日?qǐng)?bào)聚焦:電科裝備推出SiC晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備|展會(huì)特輯

來(lái)源:     作者:孫友芳     發(fā)布時(shí)間:2024年03月22日     瀏覽次數(shù):         
  編者按:SEMICON China 2024展會(huì)期間,《光明日?qǐng)?bào)》聚焦電科裝備中電科風(fēng)華公司自主研制的SiC晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行報(bào)道,現(xiàn)轉(zhuǎn)載全文。
  
  在日前舉行的SEMICON China 2024展會(huì)上,中電科電子裝備集團(tuán)有限公司(簡(jiǎn)稱電科裝備)發(fā)布了SiC晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備,滿足了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)缺陷檢測(cè)設(shè)備的迫切需求,對(duì)保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全具有重要意義。
  
  近年來(lái),第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用呈現(xiàn)多元化發(fā)展,5G、新能源汽車等新興領(lǐng)域?qū)π酒男枨罅恐饾u增長(zhǎng),對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中芯片的質(zhì)量和可靠性也提出了更高要求,必須經(jīng)過(guò)“體檢”才能避免芯片“隱疾”帶來(lái)的潛在問(wèn)題。SiC晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備正是執(zhí)行這一工藝的核心設(shè)備,可以大幅提升芯片的良品率。
  
  ?設(shè)備的研發(fā)極具挑戰(zhàn)性,國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)基礎(chǔ)相對(duì)薄弱,長(zhǎng)期以來(lái)依賴國(guó)外進(jìn)口。電科裝備中電科風(fēng)華公司成功突破了激光散射、顯微成像等光學(xué)檢測(cè)關(guān)鍵核心技術(shù),采用基于深度學(xué)習(xí)的自動(dòng)缺陷檢測(cè)算法,晶圓檢測(cè)與數(shù)據(jù)分析能夠并行處理,缺陷定位與器件失效相關(guān)聯(lián),滿足多尺寸SiC晶圓的生產(chǎn)檢測(cè)與良率提升的需求。該設(shè)備具有高分辨率成像、低噪聲、高檢測(cè)通量、高檢出率、高準(zhǔn)確性等優(yōu)勢(shì),技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn),具備整機(jī)量產(chǎn)能力和工程化應(yīng)用水平,目前已獲得了多家行業(yè)頭部客戶的批量應(yīng)用和廣泛認(rèn)可。
  
  據(jù)了解,下一步,電科裝備中電科風(fēng)華公司將堅(jiān)持長(zhǎng)期主義,緊跟先進(jìn)工藝發(fā)展,推動(dòng)SiC晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備迭代升級(jí)和量產(chǎn)應(yīng)用,以創(chuàng)新動(dòng)能引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展,切實(shí)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈優(yōu)化升級(jí)。